Description Photo Résistance LDR 10mm description de Photo Résistance LDR 10mm Ldr photoresistance diam 10 mm opldr3 . Photo-résistance de diamètre 10 mm- Résistance à  la lumière : 100 ohms.- Résistance à  l´obscurité : 50 Kohms LDR au CdS présentant une résistance > 10 MΩ dans l’obscurité. Cette résistance chute à 75…300 Ω lors de l’exposition à la lumière. Diamètre: 10 mm Vitesse de variation: > 200 kΩ/s Cette photo résistance est un composant électronique dont la résistivité varie en fonction de la quantité de lumière incidente : plus elle est éclairée, plus sa résistivité baisse. Elle est composée d’un semi-conducteur à haute résistivité qui devient plus conducteur lorsque la lumière incidente à une fréquence suffisamment élevée.   CARACTERISTIQUES TECHNIQUES Résistance si lumière max: 1k Résistance si obscurité max: 10k Tension maximum: 150V Puissance maximum: 100mW Dimension: 2 x 4 x 5mm Distance entre pate: 4mm Longueur des pates: 31mm Modèle: GL5516 Tension maximale (V-dc): 150 V Consommation électrique maximale (mW): 100W Température (° C): -30 – 70 Valeur de crête du spectre (nm): 540 OD Les paramètres de test limite: Résistance lumineuse (10Lux) (KΩ): <45 Résistance sombre (MΩ):> 200 Valeur de référence des paramètres d’application: Résistance à la lumière: <8 k Résistance sombre:> 20 mégohm Temps de réponse (ms): Up: 20 / Down: 30 Caractéristique de résistance à la lumière: 3 La longueur des broches:> 2,5 cm / 0,98 « Matériel: carbone Performance: générale Forme: cylindrique Applications: circuit d’alarme antivol Taille: 5 x 3 mm / 0,2 x 0,12 «